- power converters
- semiconductor power devices
- thermal management
- packaging and integration
Prof. Alberto Castellazzi
Head of Lab
カステラッズィ教授は、イタリアのミラノ国立大学で物理学（電子工学専攻）の修士号を取得，ドイツのミュンヘン工科大学で電気工学の博士号を取得しています．1997年からパワーエレクトロニクスに携わり，産業界（OHB Italia、Siemens Corporate Technology、ALSTOM-PEARL）と学界（ミュンヘン工科大学，チューリッヒ工科大学、ノッティンガム大学）の両方で役職を歴任しました．2011年に京都大学引原研究室の客員研究員としてWBG技術の研究を始め，それ以来日本との強いつながりを築いてきました．2019年7月に京都に移り，KUASの新設工学部にSP2-Labを設立しました．カステラッズィ教授は，IEAパワーエレクトロニクス技術アネックスのメンバーです．国際的なパワーエレクトロニクスコミュニティに積極的に参加しており，多数のジャーナルのゲスト編集者として，また多数の専門国際会議の組織および技術プログラム委員会のメンバーとして定期的に活動しています．
研究のハイライト: 高効率，高電力密度の新しい WBG トポロジ，両面冷却の高速スイッチング パッケージング コンセプト，WBG デバイスの堅牢性の限界の評価と改善．
Prof. Alberto Castellazzi
Head of Lab
RESEARCH MAP
ORCiDO
Research keywords:
- power converters
- semiconductor power devices
- thermal management
- packaging and integration
カステラッズィ教授は、イタリアのミラノ国立大学で物理学（電子工学専攻）の修士号を取得，ドイツのミュンヘン工科大学で電気工学の博士号を取得しています．1997年からパワーエレクトロニクスに携わり，産業界（OHB Italia、Siemens Corporate Technology、ALSTOM-PEARL）と学界（ミュンヘン工科大学，チューリッヒ工科大学、ノッティンガム大学）の両方で役職を歴任しました．2011年に京都大学引原研究室の客員研究員としてWBG技術の研究を始め，それ以来日本との強いつながりを築いてきました．2019年7月に京都に移り，KUASの新設工学部にSP2-Labを設立しました．カステラッズィ教授は，IEAパワーエレクトロニクス技術アネックスのメンバーです．国際的なパワーエレクトロニクスコミュニティに積極的に参加しており，多数のジャーナルのゲスト編集者として，また多数の専門国際会議の組織および技術プログラム委員会のメンバーとして定期的に活動しています．
研究のハイライト: 高効率，高電力密度の新しい WBG トポロジ，両面冷却の高速スイッチング パッケージング コンセプト，WBG デバイスの堅牢性の限界の評価と改善．
- WBG semiconductor devices
- gate-drivers
- applications
Mr. Ravindu Abeysinghe
MSc student
アベイシンゲ氏は，スリランカの National School of Business Management にて電気電子工学の学士号を取得しています．大学院進学前には，産業研修を経験するとともに，大学の実験助手として勤務していました．
研究のハイライト: 集積型高耐圧 GaN IC，デバイス性能および堅牢性評価，ハイブリッド SiC-GaN パワーソリューション
Mr. Ravindu Abeysinghe
MSc student
Research keywords:
- WBG semiconductor devices
- gate-drivers
- applications
アベイシンゲ氏は，スリランカの National School of Business Management にて電気電子工学の学士号を取得しています．大学院進学前には，産業研修を経験するとともに，大学の実験助手として勤務していました．
研究のハイライト: 集積型高耐圧 GaN IC，デバイス性能および堅牢性評価，ハイブリッド SiC-GaN パワーソリューション
- renewable energies
- inverters
- control
- EMI filtering
Mr. Muhammad Nizhom Ramadhani
MSc student
ラマダニ氏は，インドネシアの Institut Teknologi Kalimantan にて電気工学の学士号を取得し，その後数年間，産業界での勤務経験を積んだ後に修士課程に進学しました．
研究のハイライト: 高効率・高電力密度の再生可能エネルギー電源ネットワーク，EMI（ノイズ）フィルタリング技術，制御方式の研究開発
Mr. Muhammad Nizhom Ramadhani
MSc student
Research keywords:
- renewable energies
- inverters
- control
- EMI filtering
ラマダニ氏は，インドネシアの Institut Teknologi Kalimantan にて電気工学の学士号を取得し，その後数年間，産業界での勤務経験を積んだ後に修士課程に進学しました．
研究のハイライト: 高効率・高電力密度の再生可能エネルギー電源ネットワーク，EMI（ノイズ）フィルタリング技術，制御方式の研究開発
- Dual Active Bridge Converter
- PCB design
Ms Queena Qurrota Ayun
BSc student
アユン氏は，機械電気システム工学専攻4年生です．
SiC MOSFET とゲートドライバ設計に関心があり，DC-DCコンバータ向けのマイコン制御プログラミングにも取り組んでいます．彼女の研究成果は，国際パワーエレクトロニクス会議に投稿された論文にも活用されています．
研究のハイライト: 高周波マイコン制御，高耐圧 SiC MOSFET ゲートドライバ設計・実験，標準型およびセンタータップ型 DAB の再構成可能 PCB設計
Ms Queena Qurrota Ayun
BSc student
Research keywords:
- SiC gate-drivers and microcontrollers
- Dual Active Bridge Converter
- PCB design
アユン氏は，機械電気システム工学専攻4年生です．
SiC MOSFET とゲートドライバ設計に関心があり，DC-DCコンバータ向けのマイコン制御プログラミングにも取り組んでいます．彼女の研究成果は，国際パワーエレクトロニクス会議に投稿された論文にも活用されています．
研究のハイライト: 高周波マイコン制御，高耐圧 SiC MOSFET ゲートドライバ設計・実験，標準型およびセンタータップ型 DAB の再構成可能 PCB設計
- Modulation strategies
- Control
Ms Vanesa Yarazet Vera-Placido
BSc student
ヴェラープラシド氏は機械電気システム工学専攻の4年生です．
高速モータドライブ，Y-Inverter，制御・変調方式に強い興味を持ち，研究成果は国際会議（ZPEC2025）で発表・採録されています．
研究のハイライト: Y-Inverter の single/dual/hybrid 変調方式，高周波歪みの低減技術，高速短絡保護回路の設計と評価
Ms Vanesa Yarazet Vera-Placido
BSc student
Research keywords:
- Y-inverter
- Modulation strategies
- Control
ヴェラープラシド氏は機械電気システム工学専攻の4年生です．
高速モータドライブ，Y-Inverter，制御・変調方式に強い興味を持ち，研究成果は国際会議（ZPEC2025）で発表・採録されています．
研究のハイライト: Y-Inverter の single/dual/hybrid 変調方式，高周波歪みの低減技術，高速短絡保護回路の設計と評価
- VSI-Boost system
- Advanced split-inductor assemblies
Ms Maria Kazakova
BSc student
カザコワ氏は機械電気システム工学専攻4年生です．
高ブースト比・高周波インバータに取り組み，分割インダクタの最新技術を用いたゲイン向上を目指しています．研究成果は国際専門会議（PEAS2025）で発表・採録されています．
研究のハイライト: GaN HEMT を用いた双方向電流導通型分割インダクタ構成，ダブルゲイン Y-Inverter，VSI-Boost パワーセル設計
Ms Maria Kazakova
BSc student
Research keywords:
- High boost factor inverters
- VSI-Boost system
- Advanced split-inductor assemblies
カザコワ氏は機械電気システム工学専攻4年生です．
高ブースト比・高周波インバータに取り組み，分割インダクタの最新技術を用いたゲイン向上を目指しています．研究成果は国際専門会議（PEAS2025）で発表・採録されています．
研究のハイライト: GaN HEMT を用いた双方向電流導通型分割インダクタ構成，ダブルゲイン Y-Inverter，VSI-Boost パワーセル設計
- Class-D amplifiers
- PCB design
Mr. Matias Arias-Reina
BSc student
アリアス・レイナ氏は機械電気システム工学専攻4年生です．
オーディオ応用に情熱をもち，超高周波スイッチング GaN HEMT を用いたクラスDアンプの研究を進めています．携帯性に優れる高出力機器の開発のため，独自の回路設計，制御，熱管理手法を追究しています．
研究のハイライト: 3 MHz スイッチング GaN クラスDアンプ，FPGA 制御，高周波多層PCB設計
Mr. Matias Arias-Reina
BSc student
Research keywords:
- Ultra-high-frequency GaN DC-DC converters and inverters
- Class-D amplifiers
- PCB design
アリアス・レイナ氏は機械電気システム工学専攻4年生です．
オーディオ応用に情熱をもち，超高周波スイッチング GaN HEMT を用いたクラスDアンプの研究を進めています．携帯性に優れる高出力機器の開発のため，独自の回路設計，制御，熱管理手法を追究しています．
研究のハイライト: 3 MHz スイッチング GaN クラスDアンプ，FPGA 制御，高周波多層PCB設計
- Mechanical design
- Circuit engineering
Mr. Stanley Ierwanto
BSc student
イェルワント氏は機械電気システム工学専攻4年生です．
リモート制御・データ収集の自動化に強い興味を持ち，プログラミング，機械設計，3Dプリント，電子回路設計まで幅広い技能を活かして研究に貢献しています．彼の成果は国際会議への投稿にも取り入れられています．
研究のハイライト: コントローラ EMI対策技術，電源，パワーアナライザ，データロガー，温度計測器の遠隔制御プログラム開発
Mr. Stanley Ierwanto
BSc student
Research keywords:
- Automation and data-processing
- Mechanical design
- Circuit engineering
イェルワント氏は機械電気システム工学専攻4年生です．
リモート制御・データ収集の自動化に強い興味を持ち，プログラミング，機械設計，3Dプリント，電子回路設計まで幅広い技能を活かして研究に貢献しています．彼の成果は国際会議への投稿にも取り入れられています．
研究のハイライト: コントローラ EMI対策技術，電源，パワーアナライザ，データロガー，温度計測器の遠隔制御プログラム開発
- inductor and transformer design
- application, characterization and testing
Mr. Isitha Kapugamae
BSc student
カプガマエ氏は機械電気システム工学専攻の4年生です．
インダクタやトランスなどの磁気部品設計に熱意をもち，高周波磁性材料を用いた高効率・高電力密度化を目指しています．研究成果は国際会議投稿論文にも活用されています．
研究のハイライト: 標準／センタータップ型 DAB 用トランス・インダクタ設計，JMAG を活用した磁界解析と最適化設計，－15～125 ℃ の温度範囲でのパラメトリック試験
Mr. Isitha Kapugamae
BSc student
Research keywords:
- high-frequency magnetics
- inductor and transformer design
- application, characterization and testing
カプガマエ氏は機械電気システム工学専攻の4年生です．
インダクタやトランスなどの磁気部品設計に熱意をもち，高周波磁性材料を用いた高効率・高電力密度化を目指しています．研究成果は国際会議投稿論文にも活用されています．
研究のハイライト: 標準／センタータップ型 DAB 用トランス・インダクタ設計，JMAG を活用した磁界解析と最適化設計，－15～125 ℃ の温度範囲でのパラメトリック試験
- Matrix and sparse-matrix converter
- Control
Mr. Suo Matsunaga
BSc student
松永氏は機械電気システム工学専攻の4年生です．
パワーエレクトロニクス全般に強い関心があり，特に WBG デバイスを活用した高周波動作 DC-DC コンバータおよびアクティブ整流方式に注力しています．将来的にはトポロジ設計と制御の専門性向上を目指しています．彼の成果は国際会議投稿論文にも活用されています．
研究のハイライト: オールSiC Dual Active Bridge（DAB）設計，マトリックスコンバータおよび疎結合マトリックスコンバータ方式アクティブ整流器設計
Mr. Suo Matsunaga
BSc student
Research keywords:
- Dual Active Bridge Converter
- Matrix and sparse-matrix converter
- Control
松永氏は機械電気システム工学専攻の4年生です．
パワーエレクトロニクス全般に強い関心があり，特に WBG デバイスを活用した高周波動作 DC-DC コンバータおよびアクティブ整流方式に注力しています．将来的にはトポロジ設計と制御の専門性向上を目指しています．彼の成果は国際会議投稿論文にも活用されています．
研究のハイライト: オールSiC Dual Active Bridge（DAB）設計，マトリックスコンバータおよび疎結合マトリックスコンバータ方式アクティブ整流器設計
- Computational Fluid Dynamics and thermal management
- Regulation and control
Mr. Imad Mohamed Ameer
BSc student
イマド氏は機械電気システム工学専攻4年生です．
流体力学および熱流体解析に強い興味を持ち，パワー変換システムの統合冷却設計にそれらを応用しています．高温動作が可能な双方向 SiC-MOSFET を用いた統合モータドライブ（IMMD）技術の信頼性向上に貢献し，その成果は複数の国際会議にて発表され，Best Presentation Award も受賞しています．
研究のハイライト: 動的制御型液冷システムによる熱サイクル低減，3D有限要素法解析（Ansys），液冷を備えたIMMDスロットプロトタイプ開発
Mr. Imad Mohamed Ameer
BSc student
Research keywords:
- Integrated Modular Motor Drives
- Computational Fluid Dynamics and thermal management
- Regulation and control
イマド氏は機械電気システム工学専攻4年生です．
流体力学および熱流体解析に強い興味を持ち，パワー変換システムの統合冷却設計にそれらを応用しています．高温動作が可能な双方向 SiC-MOSFET を用いた統合モータドライブ（IMMD）技術の信頼性向上に貢献し，その成果は複数の国際会議にて発表され，Best Presentation Award も受賞しています．
研究のハイライト: 動的制御型液冷システムによる熱サイクル低減，3D有限要素法解析（Ansys），液冷を備えたIMMDスロットプロトタイプ開発
- GaN gate-driver and PCB design
- BDS characterization
Mr. Kulisa Saranath Nanayakkara
BSc student
ナナヤッカラ氏は機械電気システム工学専攻4年生です．
最新世代の GaN HEMT に着目し，そのスイッチング特性および堅牢性を物理デバイスシミュレーションと実験により検証しています．特に注目される単一基板上での双方向GaNスイッチ性能を引き出すため，独自の二重パルステスト回路を構築し，総合的なエレクトロ・サーマル評価を進めています．研究成果は複数の国際会議投稿に貢献しています．
研究のハイライト: 最新GaN HEMT の短絡耐量評価，双方向スイッチ向け二重パルステスト回路の試作，GaN／SiC デバイス用高電流多層PCB設計とゲートドライバ設計
Mr. Kulisa Saranath Nanayakkara
BSc student
Research keywords:
- GaN HEMT performance and robustness
- GaN gate-driver and PCB design
- BDS characterization
ナナヤッカラ氏は機械電気システム工学専攻4年生です．
最新世代の GaN HEMT に着目し，そのスイッチング特性および堅牢性を物理デバイスシミュレーションと実験により検証しています．特に注目される単一基板上での双方向GaNスイッチ性能を引き出すため，独自の二重パルステスト回路を構築し，総合的なエレクトロ・サーマル評価を進めています．研究成果は複数の国際会議投稿に貢献しています．
研究のハイライト: 最新GaN HEMT の短絡耐量評価，双方向スイッチ向け二重パルステスト回路の試作，GaN／SiC デバイス用高電流多層PCB設計とゲートドライバ設計
Alumni
Dr. Hamzeh J. Jaber
Post-doctoral researcher
ジャバー博士は，2021 年に東京工業大学で電気電子工学の博士号を取得しました．将来の e-モビリティに向けた先進的なワイドバンドギャップ電力コンバータの研究に注力しています．研究対象には、モーター ドライブ，高出力モジュラー コンバータ、パワー エレクトロニクスの制御などがあります．
Dr. Hamzeh J. Jaber
Post-doctoral researcher
ジャバー博士は，2021 年に東京工業大学で電気電子工学の博士号を取得しました．将来の e-モビリティに向けた先進的なワイドバンドギャップ電力コンバータの研究に注力しています．研究対象には、モーター ドライブ，高出力モジュラー コンバータ、パワー エレクトロニクスの制御などがあります．
Dr. Yonghwa Lee
PhD researcher
リー氏は，高麗大学で制御および計測工学の学士号とメカトロニクスの修士号を取得しています．2012 年から韓国ソウルの LG エレクトロニクスで上級研究員を務め，KUASにて「再構成可能なフォールト トレラント電気駆動装置のための機能的および構造的統合」で博士号を取得中しました．25kW 3 相インバータ給電式 PMSM，17kW DC/DC コンバータ，シャント アクティブ電力フィルタ用 10kVA 3 相グリッド接続インバータなどの戦略的産業研究開発PJに携わり，国際ジャーナルや会議で 13 本の論文を発表しています．
Dr. Yonghwa Lee
PhD researcher
リー氏は，高麗大学で制御および計測工学の学士号とメカトロニクスの修士号を取得しています．2012 年から韓国ソウルの LG エレクトロニクスで上級研究員を務め，KUASにて「再構成可能なフォールト トレラント電気駆動装置のための機能的および構造的統合」で博士号を取得中しました．25kW 3 相インバータ給電式 PMSM，17kW DC/DC コンバータ，シャント アクティブ電力フィルタ用 10kVA 3 相グリッド接続インバータなどの戦略的産業研究開発PJに携わり，国際ジャーナルや会議で 13 本の論文を発表しています．
Dr. Kwak Jaedon
PhD researcher
クワク氏は，韓国ソウルの漢陽大学で機械工学の学士号（2012年）と自動車工学の修士号（2014年）を取得しています．2014年から2020年まで、韓国のLGエレクトロニクスに勤務し，電気自動車用途の電気機械の設計，開発，テストに従事しました．2020年4月からは，SP2-Labに在籍し，「エネルギー効率の高い電気駆動システムのためのインバーターと機械のパラメトリックな共同設計」で博士号取得しました．
Dr. Kwak Jaedon
PhD researcher
クワク氏は，韓国ソウルの漢陽大学で機械工学の学士号（2012年）と自動車工学の修士号（2014年）を取得しています．2014年から2020年まで、韓国のLGエレクトロニクスに勤務し，電気自動車用途の電気機械の設計，開発，テストに従事しました．2020年4月からは，SP2-Labに在籍し，「エネルギー効率の高い電気駆動システムのためのインバーターと機械のパラメトリックな共同設計」で博士号取得しました．
Mr. Hirotaka Araki
Research Assistant
荒木氏は2023年1月から2025年3月まで在籍し，ハイブリッドSiC-GaNスイッチおよびゲートドライバの実装，インバータの電流再構成技術，Yインバータを用いた単相・多相のコンデンサレス（DCリンクレス）マルチソース電力ネットワーク，さらにVSI-Boostシステムに至るまで，多岐にわたる研究活動に貢献しました．
彼の研究成果は，国際的な専門学会で多数発表されています．また，演習や実験準備・指導を通じた教育活動への支援も非常に高く評価されました．
Mr. Hirotaka Araki
Research Assistant
荒木氏は2023年1月から2025年3月まで在籍し，ハイブリッドSiC-GaNスイッチおよびゲートドライバの実装，インバータの電流再構成技術，Yインバータを用いた単相・多相のコンデンサレス（DCリンクレス）マルチソース電力ネットワーク，さらにVSI-Boostシステムに至るまで，多岐にわたる研究活動に貢献しました．
彼の研究成果は，国際的な専門学会で多数発表されています．また，演習や実験準備・指導を通じた教育活動への支援も非常に高く評価されました．
Mr. Lucky Angelico Nagpala
MSc students
ナグパラ氏はフィリピン大学ロスバニョス校で電気工学の学士号を取得しており，同校ではパワーエレクトロニクスの講師も務めています．現在は KUAS-E で修士号取得を目指して 2 年間の休職中です．
Mr. Lucky Angelico Nagpala
MSc students
ナグパラ氏はフィリピン大学ロスバニョス校で電気工学の学士号を取得しており，同校ではパワーエレクトロニクスの講師も務めています．現在は KUAS-E で修士号取得を目指して 2 年間の休職中です．
Mr. Yutaro Sakuraba
BSc students
桜庭氏は電気工学を専攻する学部4年生です．ワイヤレス電力伝送に非常に熱心で，工場自動化の分野でドローンやロボットのバッテリー充電に使用する革新的な電力変換ソリューションを開発しています．学生プロジェクト活動の成果は，専門的な国際会議で発表された論文に貢献し，オープンキャンパスのデモンストレーションでもよく使用されており，桜庭さんは定期的に学生アンバサダーとして活動しました．
Mr. Yutaro Sakuraba
BSc students
桜庭氏は電気工学を専攻する学部4年生です．ワイヤレス電力伝送に非常に熱心で，工場自動化の分野でドローンやロボットのバッテリー充電に使用する革新的な電力変換ソリューションを開発しています．学生プロジェクト活動の成果は，専門的な国際会議で発表された論文に貢献し，オープンキャンパスのデモンストレーションでもよく使用されており，桜庭さんは定期的に学生アンバサダーとして活動しました．
Mr. Soichi Onishi
BSc students
大西氏は電気工学を専攻する学部4年生です．ワイヤレス電力伝送アプリケーションとロボット工学に熱心に取り組んでおり，高電力密度、高効率の150 kHzアプリケーション向けに特注の磁気コンポーネントを設計しています．学生プロジェクト活動の成果は，専門の国際会議で発表された論文に貢献しています．
Mr. Soichi Onishi
BSc students
大西氏は電気工学を専攻する学部4年生です．ワイヤレス電力伝送アプリケーションとロボット工学に熱心に取り組んでおり，高電力密度、高効率の150 kHzアプリケーション向けに特注の磁気コンポーネントを設計しています．学生プロジェクト活動の成果は，専門の国際会議で発表された論文に貢献しています．
Specially Appointed Professors
Assist. Prof. Antonio Pio Catalano
University of Naples "Federico II", Italy
カタラーノ博士は，パワーデバイスパッケージングおよび物理モデリング分野における若手専門家です．2024年10月から12月まで当研究室に在籍し，WBGパワーデバイスおよびパワーモジュールの電気・熱モデリングに関する研究活動で協働しました．長年にわたる共同研究の成果は，多数の権威ある学術誌および国際会議論文集に継続的に発表されています．
Assist. Prof. Antonio Pio Catalano
University of Naples "Federico II", Italy
カタラーノ博士は，パワーデバイスパッケージングおよび物理モデリング分野における若手専門家です．2024年10月から12月まで当研究室に在籍し，WBGパワーデバイスおよびパワーモジュールの電気・熱モデリングに関する研究活動で協働しました．長年にわたる共同研究の成果は，多数の権威ある学術誌および国際会議論文集に継続的に発表されています．
Assist. Prof. Shuo Wang
University of Nottingham-Ningbo, China
ワン博士は2025年7月より当研究室に在籍しており，任期は2027年3月末まで継続予定です．高速モータドライブ向け革新的インバータトポロジ，変調方式および制御戦略について，大電力Siデバイス応用と高電力密度WBGデバイス応用の両面から共同研究を進めています．
Assist. Prof. Shuo Wang
University of Nottingham-Ningbo, China
ワン博士は2025年7月より当研究室に在籍しており，任期は2027年3月末まで継続予定です．高速モータドライブ向け革新的インバータトポロジ，変調方式および制御戦略について，大電力Siデバイス応用と高電力密度WBGデバイス応用の両面から共同研究を進めています．
Visiting Researchers
Dr. Ilaria Matacena
University of Naples "Federico II", Italy
マタセナ博士は2020年12月から2021年3月まで客員研究員として当研究室に在籍した.SiCパワーMOSFETのゲート酸化膜欠陥と界面トラップに関する研究に従事し，ドレインバイアス条件下での独自測定とデバイスシミュレーションを実施した．研究成果は共同執筆論文2本（I. Matacena et al., IPFA2022; I. Matacena et al., Materials Science Forum Vol. 1062, 2022）として発表され，うち1本で最優秀ポスター賞を受賞した．
Dr. Ilaria Matacena
University of Naples "Federico II", Italy
マタセナ博士は2020年12月から2021年3月まで客員研究員として当研究室に在籍した.SiCパワーMOSFETのゲート酸化膜欠陥と界面トラップに関する研究に従事し，ドレインバイアス条件下での独自測定とデバイスシミュレーションを実施した．研究成果は共同執筆論文2本（I. Matacena et al., IPFA2022; I. Matacena et al., Materials Science Forum Vol. 1062, 2022）として発表され，うち1本で最優秀ポスター賞を受賞した．
Dr. Alessandro Borghese
University of Naples "Federico II", Italy
ボルゲーゼ博士は2020年12月から2021年6月まで当研究室に在籍しました．彼の研究はWBG半導体デバイスの特性評価と応用に焦点を当て，以下の内容を含みます：SiC MOSFETのゲートドライバ設計および並列マルチチップ構造における故障分離；GaN HEMTのダブルパルス試験と短絡試験；高周波PFC回路におけるGaO2ダイオードの特性評価．研究成果は共著論文1編（A.. Borghese et al., WiPDA-Asia2023）として発表されました．
Dr. Alessandro Borghese
University of Naples "Federico II", Italy
ボルゲーゼ博士は2020年12月から2021年6月まで当研究室に在籍しました．彼の研究はWBG半導体デバイスの特性評価と応用に焦点を当て，以下の内容を含みます：SiC MOSFETのゲートドライバ設計および並列マルチチップ構造における故障分離；GaN HEMTのダブルパルス試験と短絡試験；高周波PFC回路におけるGaO2ダイオードの特性評価．研究成果は共著論文1編（A.. Borghese et al., WiPDA-Asia2023）として発表されました．
Dr. Battuvshin Bayarkhuu
Kyushu Institute of Technology, Japan
バヤルフ博士は2021年11月と12月に当研究所に滞在しました．博士はハイブリッド統合型GaN-SiCスイッチの開発を支援し，電力変換アプリケーションにおけるスイッチング性能，導通性能，フリーホイール性能の共同最適化を実現しました．この研究成果は共同執筆論文として発表されました（B. Bayarkhuu et al., ISPSD2022）．
Dr. Battuvshin Bayarkhuu
Kyushu Institute of Technology, Japan
バヤルフ博士は2021年11月と12月に当研究所に滞在しました．博士はハイブリッド統合型GaN-SiCスイッチの開発を支援し，電力変換アプリケーションにおけるスイッチング性能，導通性能，フリーホイール性能の共同最適化を実現しました．この研究成果は共同執筆論文として発表されました（B. Bayarkhuu et al., ISPSD2022）．
Mr. Benedikt Riegler
TU Graz, Austria
リーグラー氏は2024年1月から3月まで当研究室に在籍しました．
FPGAを用いた変調・制御による，高周波・高効率のオールSiC電流源インバータ（CSI）の試作および実証に携わりました．
その成果は，共同研究として国際会議（B. Riegler et al., ECCE-USA 2024）にて発表されました．
Mr. Benedikt Riegler
TU Graz, Austria
リーグラー氏は2024年1月から3月まで当研究室に在籍しました．
FPGAを用いた変調・制御による，高周波・高効率のオールSiC電流源インバータ（CSI）の試作および実証に携わりました．
その成果は，共同研究として国際会議（B. Riegler et al., ECCE-USA 2024）にて発表されました．
Mr. Jia-Wei Hu
Tsing-Hua University, Hsinchu, Taiwan
フー氏は2025年1月から9月まで当研究室に在籍しました．
独自設計・試作された 650 V および 1200 V 対応 SiC MOSFET（プレーナ型およびトレンチ型）の実験的特性評価に従事しました．性能と堅牢性の両面から評価を行い，特に短絡耐量に注目して，堅牢性向上に寄与する設計パラメータの特定に取り組みました．
Mr. Jia-Wei Hu
Tsing-Hua University, Hsinchu, Taiwan
フー氏は2025年1月から9月まで当研究室に在籍しました．
独自設計・試作された 650 V および 1200 V 対応 SiC MOSFET（プレーナ型およびトレンチ型）の実験的特性評価に従事しました．性能と堅牢性の両面から評価を行い，特に短絡耐量に注目して，堅牢性向上に寄与する設計パラメータの特定に取り組みました．
Interships and Exchange Students
Mr. Simon Marchiano
ESIEE Paris, France
マルシアーノ氏は2024年11月から2025年1月まで当研究室に在籍しました．
GaN および SiC を用いたパワーインバータ向けの，高周波 FPGA ベース制御器の開発に貢献しました．
Mr. Simon Marchiano
ESIEE Paris, France
マルシアーノ氏は2024年11月から2025年1月まで当研究室に在籍しました．
GaN および SiC を用いたパワーインバータ向けの，高周波 FPGA ベース制御器の開発に貢献しました．
Mr. Elie William Senna Guerlach
ESIEE Paris, France
ゲアラク氏は2024年11月から2025年1月まで当研究室に在籍しました．
高周波対応の新規ソフトフェライト材料を用いた平面型結合インダクタの設計最適化および試作に携わり，その成果は国際会議論文（E. W. S. Guerlach et al., ICCT-Pacific 2025）に大きく貢献しました．
Mr. Elie William Senna Guerlach
ESIEE Paris, France
ゲアラク氏は2024年11月から2025年1月まで当研究室に在籍しました．
高周波対応の新規ソフトフェライト材料を用いた平面型結合インダクタの設計最適化および試作に携わり，その成果は国際会議論文（E. W. S. Guerlach et al., ICCT-Pacific 2025）に大きく貢献しました．
Mr. Camile Bidaud
ENSEEIHT Toulouse, France
ビドー氏は2024年6月から8月まで当研究室に在籍しました．
ピエゾモータ駆動用の GaN スイッチおよびコンバータに対する最大3 MHz の超高周波テスト環境の構築を主導し，さらにアクティブDC負荷と併用可能な低電圧大電流整流回路および高電圧低電流整流回路の設計・試作を行いました．
Mr. Camile Bidaud
ENSEEIHT Toulouse, France
ビドー氏は2024年6月から8月まで当研究室に在籍しました．
ピエゾモータ駆動用の GaN スイッチおよびコンバータに対する最大3 MHz の超高周波テスト環境の構築を主導し，さらにアクティブDC負荷と併用可能な低電圧大電流整流回路および高電圧低電流整流回路の設計・試作を行いました．
Mr. Kan Suzuki
Ohio State University, Columbus, Ohio, USA
鈴木氏は2024年5月から8月まで当研究室に在籍しました．
WBGベースの高周波・高効率昇圧インバータを評価するための，高速モータドライブの設計，製作および設置に主要な役割を担いました．
Mr. Kan Suzuki
Ohio State University, Columbus, Ohio, USA
鈴木氏は2024年5月から8月まで当研究室に在籍しました．
WBGベースの高周波・高効率昇圧インバータを評価するための，高速モータドライブの設計，製作および設置に主要な役割を担いました．
Mr. Haggay Vardi
WPI, Worcester, Massachusetts, USA
ヴァルディ氏は2023年10月および11月に当研究室に在籍しました．
電気‐熱連成および熱機械構造解析の若手専門家として，SiCベース統合型モータドライブ（IMMD）の先端パッケージング技術開発を大きく支援し，その成果は国際パワーエレクトロニクス会議（H. Vardi et al., ECCE-Asia 2024）での共同論文において重要な貢献となりました．また滞在中には，3D熱解析に関するPC実習を担当するなど，教育活動にも積極的に参加しました．
Mr. Haggay Vardi
WPI, Worcester, Massachusetts, USA
ヴァルディ氏は2023年10月および11月に当研究室に在籍しました．
電気‐熱連成および熱機械構造解析の若手専門家として，SiCベース統合型モータドライブ（IMMD）の先端パッケージング技術開発を大きく支援し，その成果は国際パワーエレクトロニクス会議（H. Vardi et al., ECCE-Asia 2024）での共同論文において重要な貢献となりました．また滞在中には，3D熱解析に関するPC実習を担当するなど，教育活動にも積極的に参加しました．
Mr. Wassim Faker
WPI, Worcester, Massachusetts, USA
ファーカー氏は2023年10月および11月に当研究室に在籍しました．
パワーコンバータでの最適なスイッチング性能，導通性能および短絡耐量を実現するため，GaN‐SiC ハイブリッドスイッチおよび関連ゲートドライバの評価に取り組みました．
Mr. Wassim Faker
WPI, Worcester, Massachusetts, USA
ファーカー氏は2023年10月および11月に当研究室に在籍しました．
パワーコンバータでの最適なスイッチング性能，導通性能および短絡耐量を実現するため，GaN‐SiC ハイブリッドスイッチおよび関連ゲートドライバの評価に取り組みました．